半导体电子刻蚀气体一氟甲烷HFC-41成功量产

2019-04-19 17:39

一氟甲烷(HFC-41, CH3F)在半导体工业中可作为氮化膜的刻蚀气体,用于3D NAND闪存芯片的制造过程。宇极科技经潜心研发,成功量产了电子刻蚀气一氟甲烷,打破国内单一厂商在该产品上的业务格局。作为含氟化工品生产企业,宇极拥有独立自主知识产权HFC-41的生产及提纯工艺技术,可产出4N级高纯产品,亦可能根据不同客户的要求,对杂质组分进行有针对性的定向去除。

一氟甲烷,也称为氟甲烷、甲基氟、氟利昂41、HFC-41、R 41。英文名称methyl fluoride、fluoromethane,ODP为0,GWP为97。CAS号593-53-3,UN号2454,分子式CH3F。常温常压下是无毒、可液化的可燃气体,化学稳定性好。

高纯HFC-41是一种绿色、高效的电子特气,用于半导体及电子产品的刻蚀,对硅化物薄膜的刻蚀选择性好,在射频场下一氟甲烷HFC-41会溶解氟离子,进行反应性离子蚀刻。在已申请的应用专利中,涉及HFC-41使用的主要半导体制造商有美国应用材料、英特尔、台湾联华电子、东京威力科创、富士通株式会社、中芯国际集成电路制造、台湾积体电路制造、三星等。另外,已申请刻蚀应用专利的HFC-41生产厂商有大金株式会社、中央硝子、杜邦、巨化等国内外大型氟化工企业。

HFC-41在有机合成和药物合成中,可作为有机分子的选择性氟甲基化试剂。同时,HFC-41也被用作重要农药中间体氟溴甲烷的生产原料。